型号:FQI7N60TU | 类别:FET - 单 | 制造商:Fairchild Semiconductor |
封装:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA | 描述:MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK |
系列 | QFET™ |
制造商 | Fairchild Semiconductor |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 7.4A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 1 欧姆 @ 3.7A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 5V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 38nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 1430pF @ 25V |
功率_最大 | 3.13W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
供应商设备封装 | I2PAK |
包装 | 管件 |
供应商
深圳兴中扬电子科技有限公司 | 张生0755-83747144 |
深圳市海虹微电子有限公司 | 赵小姐086-0755-83291010 83678410 |
深圳市科恒伟业电子有限公司 | 李小姐086-0755-82569753-32922817-36561078-801 |
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深圳市海虹微电子有限公司 | 赵小姐086-0755-83291010 83678410 |
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